TVS管(浪涌保护器)核心参数与选型指南
TVS管(瞬态电压抑制器)是抑制电路浪涌、保护电子器件的核心元件,选型的核心是匹配应用场景的电压、电流、功率等关键参数,同时兼顾响应特性、电路兼容性,参数选错会导致防护失效或误触发,以下是需重点关注的参数和系统选型方法。
一、 TVS管需重点关注的核心参数
当TVS两端受到反向瞬态高能量冲击时能以 最大1nS级的速度将TVS两端间的高阻抗变为低阻抗, 使两端间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元 器件。在浪涌电压作用下,TVS 两端间的电压由额定反向关断电压 VRWM上升 到击穿电压 VBR,而被击穿,随着击穿电流的出现,流过 TVS 的电流将达到峰 值脉冲电流 IPP,同时在其两端的电压被钳位到预定的最大钳位电压 VC 以下, 其后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS 两端间的电压也不断下降,最后恢复到初始电压; TVS 管有单向与双向之分, 单向 TVS 管的特性与稳压二极管相似, 双向 TVS 管的特性相当于两个稳压二极管反向串联。下图能展示他们的关系。

1. 反向截止电压(VRWM)—— 核心匹配参数
定义:TVS管处于关断状态时,能持续承受的最大反向直流/交流电压(交流为有效值),也叫最大工作电压。
关键作用:必须大于被保护电路的额定工作电压,否则TVS管会长期处于微导通状态,发热甚至烧毁;也不能过大,否则会降低防护灵敏度。
选型注意:
直流电路:VRWM ≥ 1.1~1.2倍电路额定工作电压(留降额余量);
交流电路:VRWM ≥ 1.414倍交流额定电压有效值(覆盖峰值)。
2. 击穿电压(VBR)—— 导通阈值
定义:TVS管开始击穿导通、泄放浪涌电流的最小反向电压(测试电流通常为1mA),有±5%/±10%公差等级。
关键作用:VBR需略高于VRWM,且低于被保护器件的最大耐压值(如IC的ESD耐压、电容耐压),确保浪涌来临时先于被保护器件击穿。
选型注意:VBR的实际值需落在“电路工作电压上限”和“被保护器件耐压下限”之间。
3. 钳位电压(VC)—— 防护核心指标
定义:在峰值脉冲电流(IPP)下,TVS管两端的最大电压(即浪涌发生时,被保护电路实际承受的电压)。
关键作用:必须≤被保护器件能承受的最大瞬态电压(如器件手册中的V(ESD)、V(surge)),否则器件仍会被浪涌损坏。
选型注意:VC与IPP成正相关,需确认对应浪涌电流下的VC值,而非空载值。
4. 峰值脉冲电流(IPP)—— 抗浪涌能力
定义:TVS管能承受的最大单次脉冲电流(脉冲波形通常为8/20μs,是浪涌测试的标准波形)。
关键作用:需大于应用场景中可能出现的最大浪涌电流(如电网浪涌、静电放电、雷击感应电流)。
选型注意:多次浪涌冲击时,需按脉冲重复频率降额(如高频次浪涌需选IPP更大的型号)。
5. 峰值脉冲功率(PPP)—— 功率耐受能力
定义:Ppp = VC × IPP(8/20μs波形下),代表TVS管单次承受浪涌的最大功率。
关键作用:需匹配浪涌能量,功率不足会导致TVS管瞬间烧毁。
选型注意:封装越大,Ppp通常越高(如华悦芯1.0SMB封装约1000W,DO-214AB约1000W,大功率模块可达数千瓦)。

6. 响应时间—— 高速防护关键
定义:TVS管从浪涌出现到完全导通泄流的时间,典型值为ps(皮秒)级。
关键作用:远优于压敏电阻(ns级),适合高频/高速电路(如通信接口、USB、HDMI),需确保响应时间小于浪涌上升时间。
选型注意:高速信号电路(如5G、射频)优先选响应时间≤1ns的TVS管。
7. 结电容(CJ)—— 高频电路核心限制
定义:TVS管反向偏置时的结电容值。
关键作用:结电容过大会对高频信号(如射频、高速数字信号)产生衰减、失真,甚至影响电路正常工作。
选型注意:
低频电路(如电源、工频信号):CJ无需严格限制(数十nF均可);
高频/高速电路(如RF、USB3.0、以太网):需选低结电容TVS(CJ≤1pF,甚至0.2pF以下)。
8. 极性—— 适配电路类型
单向TVS:仅对反向浪涌有效,适用于直流电路(如电源正负极防护);
双向TVS:对正反双向浪涌均有效,适用于交流电路(如市电)或无极性信号电路(如通信总线)。
9. 封装形式—— 散热与安装适配
贴片封装: SMC、SMB、SMA、SMF、DFN等,适合小型化设备(消费电子、工控板、BMS锂电保护板),散热能力随封装尺寸增大提升;
插件封装:P-600、DO-41、DO-15、DO-201等,适合大功率浪涌场景(工业电源、电网设备),散热更好;
阵列封装:TVS Array(如ESD阵列),集成多颗TVS,适合多线防护(如USB、HDMI接口),节省空间。
二、TVS管选型指南
步骤1:明确被保护电路的基础工况
确认电路类型:直流/交流、低频/高频、单路/多路;
记录核心参数:额定工作电压(Vwork)、最大工作电流、被保护器件的最大瞬态耐压(Vmax);
明确浪涌环境:浪涌类型(ESD、雷击、电网波动)、浪涌峰值电流(I_surge)、浪涌波形(如8/20μs、10/1000μs)。
步骤2:匹配反向截止电压(VRWM)
直流电路:VRWM ≥ 1.1×Vwork(降额10%~20%,避免电压波动导致TVS导通);
交流电路:VRWM ≥ 1.414×Vwork(有效值),例如220VAC电路,VRWM≥311V,实际选330V等级。
步骤3:控制钳位电压(VC)
确保VC ≤ 0.8×Vmax(被保护器件耐压,再降额20%),例如MCU的ESD耐压为20V,则VC需≤16V。
步骤4:核算峰值脉冲电流/功率
IPP ≥ 1.2×I_surge(浪涌电流降额20%),同时验证PPM = VC×IPP ≥ 浪涌功率;
若为重复浪涌(如频繁电网波动),需额外降额:IPP实际使用值≤50%标称值。
步骤5:适配结电容与频率
高频/高速电路(如2.4G射频、USB3.1):选CJ≤1pF的超低结电容TVS(如SMF封装、ESD阵列);
低频电路(如12V直流电源):CJ可忽略,优先关注功率和电压。
步骤6:选择极性与封装
直流单极性电路(如12V电源正极):选单向TVS;
交流/无极性信号(如以太网、市电):选双向TVS;
小型化设备:贴片封装(SMA/SMB);大功率场景:插件封装(DO-201)或TVS模块。
步骤7:验证降额与兼容性
降额原则:所有参数(电压、电流、功率)实际使用值≤80%标称值;
兼容性测试:选型后验证电路正常工作(如高频信号的衰减是否在允许范围),浪涌测试后TVS无损坏、被保护器件正常。
三、常见选型误区
仅关注VRWM,忽略VC:VC才是被保护器件实际承受的电压,VRWM匹配但VC过高仍会损坏器件;
结电容未匹配频率:高频电路用高结电容TVS,导致信号失真、通信丢包;
未留降额余量:直接按额定值选型,电压波动或浪涌峰值超标时TVS失效;
单向/双向选错:直流电路用双向TVS,反向漏电流增大,影响电路精度。
以下是12V直流电源、220VAC市电、2.4G射频电路三个典型场景的TVS管选型对照表,参数推荐值基于前文选型原则推导,型号示例选用华悦芯成熟产品,可根据实际采购渠道调整:
应用场景 | 核心参数 | 参数推荐值 | 型号示例(厂商) | 备注 |
12V直流电源(如车载电源、工业控制电源) | 反向截止电压(VRWM) | 15V | SMBJ15CA(ST)、1.5KE15A(hoyasen) | 1.2倍额定电压(12V×1.2),留足波动余量 |
击穿电压(VBR) | 16.7-18.9V(±10%公差) | 略高于VRWM,确保正常工作时不导通 |
钳位电压(VC) | ≤24.4V | 适配电源芯片典型耐压(30V),降额20% |
峰值脉冲电流(IPP) | ≥20A(8/20μs波形) | 覆盖车载/工业场景典型浪涌电流 |
峰值脉冲功率(PPM) | ≥400W(8/20μs波形) | VC×IPP计算值,SMB封装满足功率需求 |
结电容(CJ) | ≤50nF | 低频电源电路,结电容无严格限制 |
极性 | 单向 | 直流电路仅需反向浪涌防护 |
封装 | SMB(贴片)、DO-41(插件) | SMB适配小型化PCB,DO-41散热更佳 |
220VAC市电(如家电电源输入、照明电路) | 反向截止电压(VRWM) | 330V | SM8S330CA(ST)、1.5KE330A(Hoyasen) | 1.414倍有效值(220V×1.414≈311V) |
击穿电压(VBR) | 363-396V(±10%公差) | 匹配VRWM,覆盖市电波动上限 |
钳位电压(VC) | ≤500V | 适配整流桥/滤波电容耐压(600V) |
峰值脉冲电流(IPP) | ≥30A(8/20μs波形) | 抵御电网雷击感应浪涌 |
峰值脉冲功率(PPM) | ≥1500W(8/20μs波形) | 高功率需求,选用DO-214AB或插件封装 |
结电容(CJ) | ≤100nF | 工频50Hz电路,结电容影响可忽略 |
极性 | 双向 | 交流正负半周均需防护 |
封装 | DO-214AB(贴片)、DO-201(插件) | 大功率场景优先选插件封装增强散热 |
2.4G射频电路(如蓝牙、WiFi通信接口) | 反向截止电压(VRWM) | 5V | ESD5Z5.0T1G(ST)、SP0508-01HTG(Littelfuse) | 1.2倍射频模块工作电压(3.3V×1.2≈4V) |
击穿电压(VBR) | 5.5-6.5V(±10%公差) | 避免影响射频信号正常传输 |
钳位电压(VC) | ≤9V | 适配射频芯片ESD耐压(15kV空气放电) |
峰值脉冲电流(IPP) | ≥5A(8/20μs波形) | 主要防护ESD,电流需求较低 |
峰值脉冲功率(PPM) | ≥45W(8/20μs波形) | 低功率即可满足,重点控制结电容 |
结电容(CJ) | ≤0.5pF | 关键参数,避免信号衰减失真 |
极性 | 双向 | 射频信号为交流特性,双向防护 |
封装 | SMF(贴片)、DFN0603(超小贴片) | 适配通信模块小型化设计 |
注:型号示例均符合IEC 61000-4-5浪涌测试标准,实际选型时需结合具体品牌的 datasheet 确认参数细节,极端环境(如高温、高湿)需额外按10%-20%降额。