应客户要求PESD3V6Z1BCSF寻求国产替代测试，急需匹配一款DFN0603（0201）封装，低结容，深回扫的物料。经过PESD3V6Z1BCSF该款产品详细的测试与产品HSESD1H501P0-U做了详细对比。客户收到对比数据后，即刻安排送样测试。   
详细测试对比过程及结果如下：

一．测试内容和目的

    测试内容：详细测试友商产品的静态参数和动态参数，同我司产品HSESD1H501P0-U做参照对比。

    测试目的：对比两款产品的静态参数和动态参数，为客户选型匹配提供更详细的支持。

二．测试设备

三．静态参数测试对比

 3.1结电容Cp 

测试条件：VR=100mV  f=1MHz

3.2击穿电压VBR 

测试条件：I = 1mA

3.3漏电流IR 

测试条件：V =3.6V

四．动态参数

 4.1.1 V/I特性曲线（电压源扫描）     

电压源偏置，标记处为器件动作时直流电压大小，确定在电压偏置状态下器件工作触发条件和回扫深度。

4.1.2 I/V特性曲线（电流源扫描）

由于PESD3V6Z1BCSF的二极管反向恢复时间较长，在电流偏置的情况下无法短时间连续测出双向数据，因此它的双向PIN单独测试，HSESD1H501P0-U不存在上述问题

4.2浪涌数据

    测试数据为多颗料均值。

    蓝色数据为8/20μs最小触发电压及相应残压和电流，小于此值时，器件不工作，呈开路状态。

    红色数据为8/20μs最大触发电压及相应残压和电流，大于此值，器件损坏，呈短路状态。

在1.2/50uS 8/20uS组合波浪涌发生器测试条件下测试：     友商产品在10V电压之前没有触发，从10V电压开始有浪涌电流产生。     HSESD1H501P0-U在8V触发，产生浪涌电流。 对应测试浪涌对应波形

4.3 IEC61000-4-2 静电能力测试。（器件下电状态，一端接地，

一端接静电发生器）

HSESD1H501P0-U接触放电极限20KV.

PESD3V6Z1BCSF接触放电达到静电发生器极限30KV.

五． 对比总结

静态参数对比总结

结电容：HSESD1H501P0-U较PESD3V6Z1BCSF，有更低的结电容，两者的典型值为0.23pF和0.53pF. HSESD1H501P0-U对于高速信号传输有更好的匹配，兼容性更好，对信号完整性的影响更小。

击穿电压：HSESD1H501P0-U击穿电压较PESD3V6Z1BCSF更低，对电流更加灵敏。

常温漏电：两者无明显差异。

动态参数对比：

V/I 动作响应：使用电压源扫描器件，HSESD1H501P0-U较PESD3V6Z1BCSF有更低的触发转折电压和回扫深度。对电压型的浪涌能量有更灵敏的响应和更好的保护效果。

I/V动作响应：使用电流源扫描器件，PESD3V6Z1BCSF二极管反向恢复时间较长，无法在短时间内处理反向浪涌事件。电流泄放效果无明显差异。

IEC61000-4-5 浪涌能力测试，PESD3V6Z1BCSF较HSESD1H501P0-U有明显的优势，极限浪涌电流对比为17A:5A. 在uS级浪涌干扰下，PESD3V6Z1BCSF有更强的泄放能力。

IEC61000-4-2静电能力测试，单体器件静电能力对比，PESD3V6Z1BCSF较HSESD1H501P0-U有明显的优势，PESD3V6Z1BCSF达到标准设备30KV极限，HSESD1H501P0-U极限能力为20KV.

六． 应用推荐

HSESD1H501P0-U更适合高速通讯场景的小能量浪涌防护，其ESD防护效果更好,对信号完整性影响更小。更适合高速通讯端口的ESD防护和小能量浪涌防护。

友商产品，在高速信号应用时受限。对小能量浪涌响应较慢,防护效果稍差。更适合高浪涌电流保护需求和高静电放电等级的应用。（30KV)